SK海力士最先进设备72层3DNAND记忆体传明年开始量产，韩联社26日援引知情人事消息报导认为，海力士计划于2017上半年已完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14厂将可在下半年开始生产。若按计划展开，海力士将沦为全球第一个量产72层3DNAND的记忆体厂。为因应市场需求降温，海力士上周已宣告将在南韩与中国两地，投资3.15兆韩圜来减少DRAM与NAND记忆体生产能力。随着微缩制程遭遇瓶颈，业者争相改为3D横向方式填充记忆体做到突破，但制程技术各不相同。

目前技术领先的三星月底2013年量产48层3DNAND记忆体，至于64层3DNAND芯片也将在今年底开始投产。据市调机构DRAMeXchange统计资料，三星第三季NAND记忆体营收回到37.44亿美元，市占率较前季变革0.3个百分点至36.6%。

东芝以19.6%位列第二，WesternDigital、海力士与美光离婚三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4%与9.8%。3D填充/制程微缩竞争白热化NAND供应商技术差距增大NANDFlash记忆体供应商为符合客户大大减少的储存空间市场需求，于是以分别从制程微缩与3D填充两个方向来提高NANDFlash的储存密度，且彼此间发售新世代产品的时间高差预料将显著增大。可以预料的是，未来固态硬碟(SSD)等NANDFlash应用于的单位储存成本将更进一步下降，拓展出有更大的应用于市场。

资料表明，三星(Samsung)、东芝/闪迪(Toshiba/SanDisk)、美光/IMFlash与SK海力士(SKHynix)等主要NANDFlash记忆体供应商，在2016年均已转入3DNAND时代。其中，进展最慢的三星已首度于2015年下半转入48层MLC时代，预计在2017年初提高到64层MLC、2018年中转入96层MLC；东芝/新帝则持续追上三星，先在2016年追赶三星目前的工程进度，并预期在2017年中发售64层MLC。进展比较较快的美光/IMFlash及SK海力士，则月底2016年转入32层MLC时代，并将在2016年底、2017年初发售48层MLC、2018年中发售64层MLC。

但值得注意的是，美光/IMFlash还有一条使用3DX-Point新的架构的产品线将在2016年中开始量产上市，未来将对NANDFlash市场产生何种影响，尚待先前仔细观察。而在制程节点方面，目前四大NANDFlash芯片供应商皆已转入1y纳米世代，彼此之间差异并不大。

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